ZnO薄膜为重要的第三代半导体材料，因其优异的光电性能在微电子行业及光电方面诸多领域备受关注，ZnO薄膜的P型掺杂是实现ZnO基光电器件的关键。本文利用射频磁控溅射法通过N-Al共掺技术，在普通玻璃衬底上成功生长出P型ZnO透明导电薄膜。探讨了不同退火气氛和不同退火温度对薄膜样品光电性能的影响，研究结果表明：当氮氧比为9∶1、溅射功率为140W、在400℃真空条件下退火时成功制备出性能优越的P型ZnO薄膜，其电阻率为152Ω·cm，薄膜可见光透射率达到90%以上。